背银二极管薄片背崩改善工艺

特色工艺方案 · 分立器件

针对背面镀银二极管在客户端厂内试切时背崩超标的难题，京创先进从切割深度、刀片选型到后道工序进行三步系统性优化，将崩边稳定控制在客户品质标准以内。

试切样品：背面镀银二极管
使用设备：AR3000

问题背景

二极管是由半导体材料（如硅、锗等）制成的电子器件，具有阳极（正极）和阴极（负极）两个电极，正向导通、反向截止，是电路中最基础的分立器件之一。背面镀银结构可提升焊接与散热性能，但也对切割工艺提出了更高要求。

本次试切样品为背面镀银二极管，客户端厂内试切时背崩存在超标现象。京创先进基于多年工艺积累，通过系统性工艺优化，成功解决背崩问题，切割效果完全满足客户要求。

关键改善步骤

三步工艺优化，系统性解决背崩问题。

第 1 步｜调整样品切割深度

通过精确调整切割深度参数，优先释放晶圆内部残余应力，从根源上降低背崩发生概率。

作用：释放部分应力，减少背崩。

第 2 步｜选用合适目数刀片及工艺参数

根据背面镀银材料特性，精选适配目数刀片，并优化主轴转速、进给速度等关键工艺参数。

作用：优化产品品质，尽量减少崩边。

第 3 步｜切割完成后先扩膜再倒膜

优化后道工序流程，切割完成后先进行扩膜处理，再进行倒膜操作，避免产品间挤压碰撞。

作用：防止产品挤压碰撞，导致背面镀层脱落。

优化前后对比

优化前

客户端厂内试切背崩存在超标现象，背面镀银层在切割过程中易出现崩边、脱落等问题，良率无法达到客户要求。

优化后

使用 AR3000 设备，经工艺优化后样品背崩得到较大改善，倒膜后检查基本无大崩边，完全满足客户品质标准。