特色工艺方案
背银二极管薄片背崩改善工艺
二极管是由半导体材料（如硅、锗等）制成的电子器件，具有阳极（正极）和阴极（负极）两个电极。当施加正向电压时导通，施加反向电压时截止，表现出开关特性。
本次试切样品为背面镀银二极管，客户端厂内试切时背崩存在超标现象。京创先进基于多年工艺积累，通过系统性工艺优化，成功解决背崩问题，切割效果完全满足客户要求。
关键改善步骤
三步工艺优化，系统性解决背崩问题
1
调整样品切割深度
通过精确调整切割深度参数，优先释放晶圆内部残余应力，从根源上降低背崩发生概率。
✓ 作用：释放部分应力，减少背崩2
选用合适目数刀片及工艺参数
根据背面镀银材料特性，精选适配目数刀片，并优化主轴转速、进给速度等关键工艺参数。
✓ 作用：优化产品品质，尽量减少崩边3
切割完成后先扩膜再倒膜
优化后道工序流程，切割完成后先进行扩膜处理，再进行倒膜操作，避免产品间挤压碰撞。
✓ 作用：防止产品挤压碰撞，导致背面镀层脱落优化前后对比
工艺优化效果显著，背崩问题得到有效解决
优化前
优化前效果
客户端厂内试切背崩存在超标现象，背面镀银层在切割过程中易出现崩边、脱落等问题，良率无法达到客户要求。
优化后
优化后效果
使用 AR3000 设备，经工艺优化后样品背崩得到较大改善，倒膜后检查基本无大崩边，完全满足客户品质标准。
使用设备
核心设备支撑工艺实现
AR3000
6英寸全自动精密切片设备
京创先进 AR3000 自动精密切片设备，专为半导体精密切割设计，具备高精度、高稳定性特点，是本次背银二极管背崩改善工艺的核心设备。
加工尺寸
6" / 160×160 mm
主轴配置
单主轴
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