特色工艺方案
双面沟槽TVS切割优化
TVS即瞬态电压抑制二极管（Transient Voltage Suppressor），其中沟槽型/双沟槽TVS具备双向防护、超低结电容、高功率密度、小尺寸、散热性能优异、响应速度快等突出优势，广泛应用于高速通信与数据接口、新能源汽车、医疗、航空及军工等高端技术领域。
由于应用场景对可靠性、稳定性和安全性要求严苛，TVS芯片在生产、工艺与品质管控方面均执行极高标准。双沟槽结构是行业典型难点：材料经双面开槽后，上下切削应力相互叠加，工件背面有效支撑大幅减弱，在切断瞬间极易产生抖动、偏移，进而引发崩边、崩裂等致命缺陷。同时底部槽腔空间狭小，排屑条件差，叠加TVS材料本身脆性大、韧性差的特性，进一步加剧崩边风险，已成为制约TVS器件高效、高精度加工的核心行业痛点。
关键改善步骤
三步工艺优化，系统性解决双沟槽TVS切割崩边难题
采用一刀切断工艺
摒弃行业内传统的"正面浅开槽 + 背面浅开槽 + 裂片"三段式工艺，采用一刀切断工艺直接完成切割，从工艺源头简化流程。
✓ 作用：有效简化作业流程、降低操作难度，显著提升切割效率与加工稳定性，效率提升100%优选适配刀片型号并精细化匹配工艺参数
针对双沟槽TVS材料特性，精选高适配性专用刀片，并结合机台特性精细化匹配主轴转速、进给速度等关键工艺参数。
✓ 作用：有效提升切割品质，显著减少崩边缺陷，确保成品外观与性能稳定可靠切割完成后先扩膜、后倒膜
优化后道工序流程，切割完成后先进行扩膜处理，再进行倒膜操作，避免产品间挤压碰撞。
✓ 作用：可有效避免产品在转运过程中发生挤压、碰撞，从源头降低崩边风险，保障切割成品外观与完整性优化前后对比
工艺优化效果显著，背崩问题得到有效解决
优化前效果
采用传统"正面浅开槽 + 背面浅开槽 + 裂片"三段式工艺，设备投入成本高、人工成本高、作业流程复杂，且双沟槽结构应力叠加导致崩边、崩裂风险高，产品良率难以保障。
优化后效果
采用一刀切断工艺，切割效率提升100%，设备投入与人工成本大幅降低。通过优选高适配性专用刀片并精细化匹配工艺参数，实现了一刀切断工艺的稳定应用，在保证高效率的同时完成切割品质的整体优化。
使用设备
核心设备支撑工艺实现
6英寸全自动精密切片设备
京创先进 AR3000 自动精密切片设备，专为半导体晶圆精密切割设计，具备高精度、高稳定性特点，是本次背银二极管背崩改善工艺的核心设备。
获取专属工艺方案
如您有类似的工艺难题或切割需求，欢迎联系我们的工艺工程师团队，我们将为您提供量身定制的解决方案。
